led芯片十強(qiáng)企業(yè)華燦光電“微型發(fā)光二極管芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)
顯示之家報(bào)到,led芯片十強(qiáng)企業(yè)led芯片十強(qiáng)企業(yè)華燦光電光電(浙江)有限公司“微型發(fā)光二極管芯片及其制備方法”專利獲授權(quán),授權(quán)公告日為6月9日,授權(quán)公告號(hào)為CN114388672B。
專利摘要顯示,該公開(kāi)提供了一種微型發(fā)光二極管芯片及其制備方法,屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該微型發(fā)光二極管芯片包括依次層疊的基板、鍵合層和發(fā)光結(jié)構(gòu);所述發(fā)光結(jié)構(gòu)靠近所述基板的表面設(shè)有多個(gè)第 一凸起,所述第 一凸起靠近所述基板的一端的端面面積大于所述第 一凸起與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)相連的一端的端面面積;所述基板靠近所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的表面設(shè)有多個(gè)第二凸起,所述第二凸起靠近所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的一端的端面面積大于所述第二凸起與所述基板相連的一端的端面面積。
據(jù)悉,該公開(kāi)實(shí)施例能增強(qiáng)鍵合強(qiáng)度,使鍵合層與基板和外延結(jié)構(gòu)連接更緊密,提高芯片的可靠性。