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誰說只會做石油，沙特發(fā)現(xiàn)無刻蝕損傷的Micro LED像素制造技術(shù)
來源：
時間：2024-05-29 18:28:16
沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)（KAUST）先進半導(dǎo)體實驗室論證了一種名為選擇性熱氧化（STO）的新型Micro LED像素定義方法。這種方法免除了像素制造工藝中等離子刻蝕的需要，為進一步提升Micro LED性能提供了新的解決方案。
KAUST的工程師們通過高溫?zé)嵬嘶鸸に囘x擇性的氧化了芯片中的非像素區(qū)域，致使非像素區(qū)域內(nèi)的p層和InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，并使該區(qū)域失去發(fā)光功能。通過STO工藝,Micro LED像素得以定義, 并顯示出低漏電和高效率等卓越的器件性能。
該方法普遍適用于InGaN/GaN的不同顏色（藍，綠，紅）的Micro LED制造，有望在未來微型顯示、可見光通信和基于光學(xué)互連的存儲器等多項應(yīng)用中發(fā)揮重要作用。
其團隊表示，目標(biāo)是將Micro LED應(yīng)用于增強現(xiàn)實/虛擬現(xiàn)實 （AR/VR）的產(chǎn)品中。目前，利用所提出STO技術(shù)已實現(xiàn)小至2.3微米的Micro LED像素發(fā)光。實驗室正在計劃將制造的器件轉(zhuǎn)移到商用的微型顯示面板上做進一步的驗證。
